Для получения доступа к подробной документации по изделиям категории ВП и ОСМ необходимо на адрес: ekb@angstrem.ru дополнительно направить официальный запрос на бланке Вашего предприятия за подписью руководителя о предоставлении доступа к сайту с указанием:

В течение трёх рабочих дней Вам на указанную электронную почту будет направлен логин и пароль.

Благодарим за Ваше понимание!

Закрыть
Заказать звонок
Логин
Пароль
Зарегистрироваться

После регистрации на сайте Вам будет доступно отслеживание состояния заказов, личный кабинет и другие новые возможности. Доступ к документации по изделиям гражданского применения свободный.

Чтобы получить доступ к документации по изделиям спецназначения необходимо на адрес ekb@angstrem.ru направить официальный запрос на бланке Вашего предприятия с указанием ФИО и должности ответственного лица, его телефон и адрес электронной почты.

Такой доступ будет предоставлен в течение 2-х дней. Благодарим за Ваше понимание.

EN
Логин
Пароль
Зарегистрироваться

После регистрации на сайте Вам будет доступно отслеживание состояния заказов, личный кабинет и другие новые возможности. Доступ к документации по изделиям гражданского применения свободный.

Чтобы получить доступ к документации по изделиям спецназначения необходимо на адрес ekb@angstrem.ru направить официальный запрос на бланке Вашего предприятия с указанием ФИО и должности ответственного лица, его телефон и адрес электронной почты.

Такой доступ будет предоставлен в течение 2-х дней. Благодарим за Ваше понимание.

Разработка и производство IGBT и FRD кристаллов  

Силовые полупроводниковые приборы производства АО "Ангстрем" представляют собой IGBT-чипы, IGBT и FRD-модули, а также дискретные элементы.

Специалисты АО «Ангстрем» первыми в России разработали и изготовили полностью отечественные силовые модули на основе биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) и быстровосстанавливающиеся диоды (FRD). Отечественный модули имеют ряд преимуществ перед иностранными аналогами. Помимо цены, которая значительно ниже, силовые модули имеют повышенную устойчивость к короткому замыканию — до 50 микросекунд, а также имеется наличие «мягких» характеристик, что нехарактерно для модулей этого поколения.

При создании данных изделий разработчики «Ангстрема» ориентировались на самые массовые в применении силовые IGBT и FRD-модули.

Серийное производство силовых модулей

"Ангстрем" производит широкую линейку модулей в диапазоне напряжений от 600В до 1700В и максимальных токов от 75А до 600А, имеющих различные конфигурации: полумост, чоппер (нижний или верхний), одиночный ключ, трехфазный полумост. Модули поставляются в разных типах корпуса: МПК-20, МПК-34, МПК-62 и др.

Еще одна разработка «Ангстрема» - IGBT-чип, способный выдерживать напряжение до 6500В и пропускать через себя ток до 150А. Чип сделан с использованием современной технологии SPT+, значительно снижающей потери в момент переключения.

Выпускаемые АО «Ангстрем» силовые полупроводниковые компоненты (ДМОП, БТИЗ, БВД, интеллектуальные ключи) нацелены на повышение энергетической эффективности преобразования и передачи электроэнергии. IGBT и FRD-модули применяются в системах управления двигателями трамваев, троллейбусов, скоростных поездов, элетромобилей, а также в больших объёмах — в сфере ЖКХ, для лифтового и сварочного оборудования, и в энергетике. Оборудование, в которое их встраивают — силовые электронные приводы, промышленные сварочные аппараты, инверторы солнечной и ветряной энергетики, ветрогенераторные установки, устройства плавного пуска и частотные преобразователи, применяемые на транспорте, в агрегатах и на подстанциях передачи электроэнергии, в электроприводах лифтов, насосных станциях.

Новые разработки в области силовой электроники

АО «Ангстрем» на постояннй основе проводит разработки в области силовой электроники. В данный момент проводятся разработки по направлениям:

  • Транзисторы на напряжения от 30 до 1500 В, стойкие к тяжелым заряженным частицам и внешним воздействующим факторам.
  • БТИЗ, БВД модули на напряжения от 1200 до 6500 В.
  • Интеллектуальные модули на напряжения от 600 до 1700 В.
  • Полупроводниковые приборы в перспективных металлокерамических и металлопластмассовых корпусах.